申请日2014.07.01
公开(公告)日2014.11.19
IPC分类号C02F9/02
摘要
本发明的一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法属于半导体制造和工业废水处理技术。该废水回用的处理方法包括如下步骤：S1，通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水;S2，利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤;S3，将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤;S4，将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤;S5，通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先设定的标准要求，如符合标准要求，送入产水箱;如不符合标准的要求，送入废水收集箱重复步骤S1至S4。该方法处理的水可直接利用，且无需添加药剂，系统占地面积小，减轻膜堵塞，使用效果稳定。
权利要求书
1.一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水;
S2，利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤;
S3，将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤，所述的保安过滤 器用于保护超滤膜;
S4，将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤;
S5，通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先 设定的标准要求，如符合标准要求，送入产水箱;如不符合标准的要求，送入 废水收集箱重复步骤S1至S4。
2.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S2中的水泵出水端、多介质过滤器的出水端、步骤S3中的保 安过滤器的出水端和S4中超滤膜过滤装置的出水端均设有压力表。
3.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S2中的多介质过滤器与第一反洗装置连接。
4.根据权利要求1或3所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特 征在于，所述的步骤S2中的多介质过滤器使用石英砂滤料去除废水中的大颗粒 杂质。
5.根据权利要求4所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S2中的大颗粒杂质粒径大于100μm。
6.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S3中的保安过滤器包括自清洁过滤器或者袋式过滤器。
7.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S4中的超滤膜过滤装置选用外压式超滤膜，过滤精度为 0.01-0.03μm。
8.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S4中的超滤膜过滤装置分别与第二反洗装置和化学清洗装置连 接。
9.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在 于，所述的步骤S4中的超滤膜过滤装置的进水压为0.1-0.15MPa。
10.根据权利要求1所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征 在于，所述的步骤S5中在流经SDI测定仪或者浊度仪的水流管道的下一阶段设 有分流装置，所述的分流装置为电磁阀，所述的电磁阀通过PLC进行控制。
11.根据权利要求10所述的半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征 在于，所述的步骤S5中在流经SDI测定仪或者浊度仪与PLC连接。
说明书
半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法
技术领域
本发明涉及半导体制造和工业废水处理技术领域，尤其涉及一种利用超滤 膜法对半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法。
背景技术
在集成电路封装制造过程中会对晶片进行切割和研磨，并且会使用超纯水 进行洗净，这样就产生了大量的切割研磨废水。目前国内大部分的厂家是采用 加药混凝沉淀和滤袋过滤方式处理的，出水达到污水综合处理达标排放的标准。 有一些厂家虽然是采用膜法过滤处理废水，但膜堵塞严重，清洗频繁，大量使 用化学药剂，运行成本高昂。
现有技术中，申请号为CN201220177850.5，发明创造名称为“切割研磨废 水的超过滤过滤装置”的中国专利公开了一种切割研磨废水的超过滤(UF)过滤装 置，该超过滤(UF)过滤装置包括有一UF滤膜全流过滤模组、一连通至UF滤膜 全流过滤模组的供气模组、一连通至UF滤膜全流过滤模组的供药模组、以及用 以控制进水、排水、供气、供药等的阀控制模组，并由此提供自动或手动控制 的正洗、逆洗或药洗流程。较佳地，UF滤膜竖直放置，还包括逆洗泵、初滤模 组等。该过滤装置在过滤过程中需要添加药剂，成本大大提高了。
另一个现有技术是申请号为CN201020123520.9，发明创造名称为“半导体 行业研磨废水回用为超纯水的处理系统”的中国专利，该专利公开了半导体行业 研磨废水回用为超纯水的处理系统，它包括彼此之间通过连接管路依次串联相 连的研磨废水水箱、膜生物反应器、离子交换系统、清水箱、超滤系统、紫外 线消毒系统、一级反渗透系统、脱气装置、二级反渗透系统、中间水箱、连续 电去离子系统和产水箱，离子交换系统连接有再生系统，膜生物反应器的清水 出水口通过出水管线与清水箱的进水口相连，二级反渗透系统的浓水出口通过 第二浓水管路与超滤系统的进水口相连，中间水箱的进水口通过中间水管路与 脱气装置的出水口相连。该系统结构复杂(例如，包括紫外线消毒系统等)，占 地面积大。
申请号为CN200710134796.X，发明创造名称为“半导体工业废水的处理方 法”的中国发明专利公开了一种半导体工业废水的处理方法，其处理步骤如下： (1)将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，形成混合废水; (2)将步骤(1)的混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤;(3)将经过步骤(2)过滤的水 泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。该技 术方案采用两次过滤，即浸没式膜过滤装置过滤及纳滤膜过滤装置过滤处理， 但其处理的回用水虽然达到了回用的程度，但还是无法达到超纯水的标准要求。
总之，从以上公开的文献以及现有技术来看，很多处理方法并没有达到回 用的目的，只是做到了达标排放标准，这造成水源的极度浪费。在社会经济日 益发展的情况下，与目前所倡导的节能减排，节约用水的法律法规大相径庭。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种不需要投加絮凝剂等药 剂、系统占地面积小、减轻膜堵塞，降低更换频率和膜的使用寿命更长的利用 超滤膜法对半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法。该方法主要针对研磨废 水的如下特点：即研磨水的主要成分是SS，水质好(原水为超纯水，废水电导 率100us/cm以下)，通过使用超滤膜法能解决好颗粒物的去除拦截问题，产品 水质优于自来水指标。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在于，包括如下步 骤：
S1，通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水;
S2，利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤;
S3，将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤，所述的保安 过滤器用于保护超滤膜;
S4，将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤;
S5，通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合 欲先设定的标准要求，如符合标准要求，送入产水箱;如不符合标准的要求， 送入废水收集箱重复步骤S1至S4。
通过上述本发明的技术方案，经过本发明处理的半导体行业硅片研磨废水 净化效果更好，出水可以直接进反渗透装置继续生产超纯水。且该方法整体回 收率高达90%，所用设备的整体投资成本和运行成本较低。