申请日2018.03.12
公开(公告)日2018.08.21
IPC分类号C02F9/08
摘要
本发明公开了一种多功能废水处理设备，包括沉淀池本体、沉淀一区和沉淀二区，所述沉淀一区设置在沉淀池本体的左端，所述沉淀二区设置在沉淀一区的右端，所述沉淀一区和沉淀二区之间设置有隔板一，所述沉淀一区的左上端设置有进水管，所述沉淀一区内设置有导流板。本沉淀池用于污水处理中，导流板能够降低污水的冲击力，使得污水缓慢流入沉淀一区，沉淀一区内装满污水之后，经过初步沉淀之后，污水从隔板一上端进入沉淀二区内，沉淀二区内污水装满之后，沉淀之后的污水从隔板二的上端进入沉淀三区内，在沉淀三区内再次沉淀的污水从出水口排出，紫外线杀菌装置对污水具有杀菌的功能，且活性炭吸附装置能够吸附水中有色有味的物质。
权利要求书
1.一种多功能废水处理设备，包括沉淀池本体(1)、沉淀一区(2)和沉淀二区(3)，其特征在于，所述沉淀一区(2)设置在沉淀池本体(1)的左端，所述沉淀二区(3)设置在沉淀一区(2)的右端，所述沉淀一区(2)和沉淀二区(3)之间设置有隔板一(7)，所述沉淀一区(2)的左上端设置有进水管(5)，所述沉淀一区(2)内设置有导流板(6)，所述沉淀二区(3)的右侧设置有沉淀三区(4)，所述沉淀二区(3)和沉淀三区(4)之间设置有隔板二(10)，所述沉淀三区(4)的右侧设置有出水口(12)，所述沉淀池本体(1)的下端设置有活性炭吸附装置(13)，所述沉淀池本体(1)的下端设置有排污管(8)，所述沉淀池本体(1)的上端设置有多个紫外线杀菌装置(9)和出气口(11)，排污管(8)的底部设有传送带(14)。
2.根据权利要求1所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述紫外线杀菌装置(9)包括电位器RP1、紫外灯H、变压器W和继电器J;所述电位器RP1的一个固定端连接电位器RP1的滑动端、二极管D1的阴极、二极管D4的阴极、电容C3、继电器J、整流桥T的端口1、芯片IC1的引脚4和芯片IC1的引脚8，电位器RP1的另一个固定端连接继电器J的触点J-1，继电器J的触点J-1的另一端连接继电器J的触点J-2、电容C1、芯片IC1的引脚2和芯片IC1的引脚6，继电器J的触点J-1的另一端连接电位器RP2的一个固定端，电位器RP2的另一个固定端连接电位器RP2的滑动端、电容C1的另一端、电容C2、电容C3的另一端、二极管D4的阳极、三极管V1的发射极、整流桥T的端口3和芯片IC1的引脚1并接地，芯片IC1的引脚5连接电容C2的另一端，芯片IC1的引脚3连接电阻R1，电阻R1的另一端连接三极管V1的基极，三极管V1的集电极连接二极管D1的阳极和继电器J的另一端，整流桥T的端口2连接变压器W的绕组N1，整流桥T的端口4连接变压器W的绕组N1的另一端，变压器W的绕组N2的一端连接二极管D2的阳极、开关S1和继电器J的触点J-3，二极管D2的阴极连接二极管D3的阴极，二极管D3的阳极接地，继电器J的触点J-3的另一端连接紫外灯H，紫外灯H的另一端连接220V交流电和变压器W的绕组N2的另一端，开关S的另一端连接220V交流电的另一端。
3.根据权利要求2所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述芯片IC1的型号为NE555。
4.根据权利要求1所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述紫外线杀菌装置(9)共设置有两个。
5.根据权利要求1所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述出气口(11)共设置有三个。
6.根据权利要求1所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述隔板一(7)的高度高于隔板二(10)的高度。
7.根据权利要求1所述的多功能废水处理设备，其特征在于，所述导流板(6)设置成倾斜状。
说明书
一种多功能废水处理设备
技术领域
本发明涉及污水处理领域，具体是一种多功能废水处理设备。
背景技术
沉淀池是应用沉淀作用去除水中悬浮物的一种构筑物，沉淀池在废水处理中广为使用。它的型式很多，按池内水流方向可分为平流式、竖流式和辐流式三种。 考虑到颗粒沉淀过程中的絮凝因素，假设颗粒的沉速以等加速改变，并设起始沉速为零。
对于工用和民用的污水处理，传统的处理工艺是将污水通过沉淀池、平流池、过滤装置、浓缩池、泥水分离装置等来完成污水处理的全过程。其中，沉淀池是将污水在池中自然沉淀，使污水中的污物沉淀在池中底部，从而便于收集，现有的沉淀池，沉淀过程简单，污泥沉淀的不彻底，造成污水处理的效果不好。因此，本领域技术人员提供了一种多功能废水处理设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多功能废水处理设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种多功能废水处理设备，包括沉淀池本体、沉淀一区和沉淀二区，所述沉淀一区设置在沉淀池本体的左端，所述沉淀二区设置在沉淀一区的右端，所述沉淀一区和沉淀二区之间设置有隔板一，所述沉淀一区的左上端设置有进水管，所述沉淀一区内设置有导流板，所述沉淀二区的右侧设置有沉淀三区，所述沉淀二区和沉淀三区之间设置有隔板二，所述沉淀三区的右侧设置有出水口，所述沉淀池本体的下端设置有活性炭吸附装置，所述沉淀池本体的下端设置有排污管，所述沉淀池本体的上端设置有多个紫外线杀菌装置和出气口，排污管的底部设有传送带。
作为本发明进一步的方案：所述紫外线杀菌装置包括电位器RP1、紫外灯H、变压器W和继电器J;所述电位器RP1的一个固定端连接电位器RP1的滑动端、二极管D1的阴极、二极管D4的阴极、电容C3、继电器J、整流桥T的端口1、芯片IC1的引脚4和芯片IC1的引脚8，电位器RP1的另一个固定端连接继电器J的触点J-1，继电器J的触点J-1的另一端连接继电器J的触点J-2、电容C1、芯片IC1的引脚2和芯片IC1的引脚6，继电器J的触点J-1的另一端连接电位器RP2的一个固定端，电位器RP2的另一个固定端连接电位器RP2的滑动端、电容C1的另一端、电容C2、电容C3的另一端、二极管D4的阳极、三极管V1的发射极、整流桥T的端口3和芯片IC1的引脚1并接地，芯片IC1的引脚5连接电容C2的另一端，芯片IC1的引脚3连接电阻R1，电阻R1的另一端连接三极管V1的基极，三极管V1的集电极连接二极管D1的阳极和继电器J的另一端，整流桥T的端口2连接变压器W的绕组N1，整流桥T的端口4连接变压器W的绕组N1的另一端，变压器W的绕组N2的一端连接二极管D2的阳极、开关S1和继电器J的触点J-3，二极管D2的阴极连接二极管D3的阴极，二极管D3的阳极接地，继电器J的触点J-3的另一端连接紫外灯H，紫外灯H的另一端连接220V交流电和变压器W的绕组N2的另一端，开关S的另一端连接220V交流电的另一端。
作为本发明进一步的方案：所述芯片IC1的型号为NE555。
作为本发明进一步的方案：所述紫外线杀菌装置共设置有两个。
作为本发明再进一步的方案：所述出气口共设置有三个。
作为本发明再进一步的方案：所述隔板一的高度高于隔板二的高度。
作为本发明再进一步的方案：所述导流板设置成倾斜状。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明在结构上设计简单合理，使用起来操作方便快捷，实用性很高，本沉淀池用于污水处理中，导流板能够降低污水的冲击力，使得污水缓慢流入沉淀一区，沉淀一区内装满污水之后，经过初步沉淀之后，污水从隔板一上端进入沉淀二区内，沉淀二区内污水装满之后，沉淀之后的污水从隔板二的上端进入沉淀三区内，在沉淀三区内再次沉淀的污水从出水口排出，间歇启动的紫外线杀菌装置不仅对污水具有杀菌的功能，还较大的节约电能，且活性炭吸附装置能够吸附水中有色有味的物质，可以提升污水的质量，促进污水处理的快速进行，沉淀池内的污泥需要定期从排污管排出。