清洗逆渗透膜方法及应用该方法废水回收方法

发布时间:2018-12-27 9:01:17

  申请日2003.11.17

  公开(公告)日2005.05.25

  IPC分类号C02F1/44; B01D29/66

  摘要

  本发明公开了一种清洗逆渗透膜的方法,包括下列步骤:将一药剂通入一逆渗透膜中,将含有该药剂的该逆渗透膜静置处理,接着,依序由低压至高压,进行对该逆渗透膜的冲洗,之后,维持一高压状态,并使该逆渗透膜产生一微震现象。本发明也提供一应用此清洗方法的废水回收的方法。

  権利要求書

  1.一种清洗逆渗透膜的方法,其特征在于,包括下列步骤:

  将一药剂通入一逆渗透膜中;

  将含有该药剂的该逆渗透膜静置处理;

  依序由低压至高压,进行对该逆渗透膜的冲洗;以及

  维持一高压状态,并使该逆渗透膜产生一微震现象。

  2.如权利要求1所述的清洗逆渗透膜的方法,其特征在于,将该逆渗 透膜大体静置20~40分钟。

  3.如权利要求1所述的清洗逆渗透膜的方法,其特征在于,该冲洗步 骤大体少于一天。

  4.如权利要求1所述的清洗逆渗透膜的方法,其特征在于,该冲洗步 骤大体介于40分钟~2小时。

  5.如权利要求1所述的清洗逆渗透膜的方法,其特征在于,还包括在 产生微震现象的同时,进行对排出水质导电度的测量。

  6.一种废水回收的方法,其特征在于,包括下列步骤:

  将废水导入一过滤装置;

  然后将流出该过滤装置的废水导入一逆渗透膜,其中该逆渗透膜为一 纯水系统淘汰的逆渗透膜,且该逆渗透膜经过如权利要求1所述的清洗方法 的处理;以及

  将废水经该过滤系统以及该逆渗透膜过滤后所得的回收水导入一产 水塔,以完成废水回收的程序。

  7.如权利要求6所述的废水回收的方法,其特征在于,该逆渗透膜大 体静置20~40分钟。

  8.如权利要求6所述的废水回收的方法,其特征在于,该冲洗步骤大 体少于一天。

  9.如权利要求6所述的废水回收的方法,其特征在于,该该冲洗步骤 大体介于40分钟~2小时。

  10.如权利要求6所述的废水回收的方法,其特征在于,还包括在产生 微震现象的同时,进行对排出水质导电度的测量。

  说明书

  清洗逆渗透膜的方法及应用该方法的废水回收方法

  技术领域

  本发明涉及一种半导体制程中的废水处理程序,特别是有关于一种快速 清洗废水回收系统中的逆渗透膜的方法。

  背景技术

  半导体制程的废水分成IC制造以及封装制程中所产生的废水,在IC制 造时,由于产品种类繁杂,制程组合多不相同,因此,排出的废水中所含化 学物质种类变化也相当复杂,其中大部分是以纯水清洗芯片、去光阻、蚀刻 及温室效应气体燃烧破坏的洗涤等程序所排放的,一般可略分为酸碱废水及 含氟废水,其中主要成份为有机物、金属离子、悬浮固体、强氧化物及氟离 子。

  另外,在IC封装的过程中所产生的污染废水则包括切割、电镀、浸锡、 清洗过程所产生的废水,依废水种类可分成研磨废水、脱脂废水、酸碱废水、 氰化物废水及重金属废水等,而水中主要的污染物质包括了悬浮固体、油脂、 有机物及重金属(Cu、Ni)。

  上述的制程废水,若能通过有效的废水回收系统加以处理,将可恢复产 生水质合乎标准的回收水,继续供应厂区例如制程用水、间接冷却用水、产 品与半成品或原料清洗用水、空间与生产机械清洗用水、传输用水、原料用 水、锅炉用水、直接冷却用水、空调或温湿度控制用水等的使用,而大幅降 低IC制造业的生产成本,并避免对环境的严重危害。

  一般来说,半导体厂区所使用的废水回收系统,包括下列数个步骤。首 先,将一制程废水导入一第一过滤塔中,该第一过滤塔滤膜的孔洞尺寸大体 为20~100毫米,接着,将自该第一过滤塔流出的过滤液继续导入另一过滤 塔中,即一第二过滤塔,而该第二过滤塔滤膜的孔洞尺寸大体为2~10毫米。

  经该第一过滤塔及该第二过滤塔的过滤程序后,原废水中的较大颗粒的 杂质,应大体可被初步的滤除。接着,将自该第二过滤塔流出的过滤液继续 导入一逆渗透膜的过滤系统,由于该逆渗透膜为一孔洞尺寸更微小的滤膜系 统,例如为1~10埃,因此,可获得水质合乎制程再利用标准的回收水,而 完成此一制程废水的回收程序。

  但因回收系统中的逆渗透膜的高频率使用,遂在孔洞表面处极易形成结 垢而阻塞滤膜,此时若无法提供一有效清洗逆渗透膜的技术,将使滤膜的寿 命因此快速终止,而严重影响整体回收系统的运作。现有清洗逆渗透膜的方 法如下所述,首先,将逆渗透膜通入一药剂,大体20分钟,此处的药剂可 为一特定浓度的强碱,接着,静置该逆渗透膜,传统上大体需要一日的时间, 之后,先以慢压冲洗,再改以快压冲洗逆渗透膜,而完成此一清洗程序。

  上述的清洗步骤,由于前后过程大体需要耗费两日的时间,且经常在清 洗完成后,该滤膜仍存有阻塞的现象,实为一既不经济又无效率的清洗方法。 面对半导体的制程日益繁复,亟须更大用水量的同时,势必要开发出一种有 效清洗逆渗透膜的方法,使滤膜虽因负载水量的增加,由于实施一有效、得 宜的清洗步骤,仍可在废水回收的系统中继续提供可过滤水质的功能。

  目前诸多半导体厂,为延长逆渗透膜寿命,降低其对杂质的负载程度, 在前处理阶段例如上述所提到的第一过滤塔以及第二过滤塔过滤程序的前 后,会加设如活性碳塔、离子交换树脂塔、微过滤膜、超过滤膜或紫外光灯 等的设备,以期提升过滤液在此阶段时的水质。但同时却须负担增加设备及 操作运转上额外多出的成本或是如活性碳、离子交换树脂塔、微过滤膜、超 过滤膜等耗材的大量使用,这些均不符合产业上要求低成本的考虑。

  发明内容

  有鉴于此,本发明的目的在于提供一种对逆渗透膜的快速清洗技术,除 可大幅改善清洗效果,延长滤膜的使用寿命外,也可免去加设其它过滤仪器 造成的繁复程序及成本的耗损。

  本发明提供一种清洗逆渗透膜的方法,由特殊的清洗技术,使逆渗透膜 得以迅速回复其原本的滤水功效。

  根据上述目的,本发明提供一种清洗逆渗透膜的方法,包括下列步骤: 将一药剂通入一逆渗透膜中,将含有该药剂的该逆渗透膜静置处理,接着, 依序由低压至高压,进行对该逆渗透膜的冲洗,之后,维持一高压状态,并 使该逆渗透膜产生一微震现象,且于产生微震现象的同时,进行对排出水质 导电度的测量。

  本发明清洗逆渗透膜的步骤,大体仅耗费两小时的时间,与现有技术动 辄一、两天的清洗时间相较,具有省时、高效率的优点,且清洗效果也较传 统方法为佳。

  根据上述目的,本发明另提供一种废水回收的方法,包括下列步骤:将 废水导入一过滤装置,然后将流出该过滤系统的废水导入一逆渗透膜,其中 该逆渗透膜为一纯水系统淘汰的逆渗透膜,且该逆渗透膜可由一快速清洗步 骤的清洗而达到再利用的目的。将废水经该过滤装置以及该逆渗透膜过滤后 所得的回收水导入一产水塔,以完成废水回收的程序。

  本发明中使用于前处理阶段的过滤系统,仅包括一第一过滤塔以及一第 二过滤塔,为一极简化的过滤单元,并无在其中加设例如活性碳塔、离子交 换树脂塔、微过滤膜、超过滤膜或紫外光灯等任何额外的过滤设备,明显可 降低制程操作上的成本。

  此外,由于使用的逆渗透膜为一纯水系统淘汰的滤膜,不仅无须购置新 的逆渗透膜组件,最终滤出的回收水水质也可获得更佳品质的保证,这是由 于纯水系统的滤膜均较一般废水系统所使用的滤膜具更细微的过滤孔洞。

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