晶元研磨废水回用处理工艺

发布时间:2018-4-30 16:59:45

  申请日2017.10.17

  公开(公告)日2018.01.09

  IPC分类号C02F9/04

  摘要

  本发明公开了一种晶元研磨废水的回用处理工艺,包括如下步骤:将晶元研磨废水排入收集槽;收集槽内的液体经调节池进入pH调整池进行处理;pH调整池处理后的液体进入混合反应池进行处理;混合反应池处理后的液体进入絮凝反应池进行处理;絮凝反应池处理后的液体进入沉淀池进行处理;沉淀池处理后的液体经UF给水箱进入砂滤器进行处理;砂滤器处理后的液体进入UF装置进行处理;UF装置处理后的液体进入处理水箱待回用。本发明可对晶元研磨废水进行有效处理,处理后水质满足生产回用需求,可实现零排放,全回收。

  权利要求书

  1.晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,包括如下步骤:

  将晶元研磨废水排入收集槽;

  收集槽内的液体经调节池进入pH调整池进行处理;

  pH调整池处理后的液体进入混合反应池进行处理;

  混合反应池处理后的液体进入絮凝反应池进行处理;

  絮凝反应池处理后的液体进入沉淀池进行处理;

  沉淀池处理后的液体经UF给水箱进入砂滤器进行处理;

  砂滤器处理后的液体进入UF装置进行处理;

  UF装置处理后的液体进入处理水箱待回用。

  2.根据权利要求1所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,pH调整池、混合反应池、絮凝反应池、沉淀池内的污泥排入污泥池;

  污泥池内的含水污泥送入板框压滤机进行压滤,压滤液进入调节池,压滤出的干污泥外运处理。

  3.根据权利要求2所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,UF装置通过压缩空气进行反冲洗。

  4.根据权利要求3所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,调节池配有应急池。

  5.根据权利要求4所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,pH调整池中投入了NaOH。

  6.根据权利要求5所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,混合反应池中投入了PAC。

  7.根据权利要求6所述的晶元研磨废水的回用处理工艺,其特征在于,絮凝反应池中投入了PAM。

  说明书

  晶元研磨废水的回用处理工艺

  技术领域

  本发明涉及晶元研磨废水的回用处理工艺。

  背景技术

  在国家加大节能减排力度的背景下,国内三废行业继续取得了较好的发展业绩。我国“十二五”规划纲要提出,强化环境治理,到2015年,实现城镇生活垃圾无害化处理率100%,城市生活污水集中处理率90%,重点工业企业废水、废气排放达标率100%,工业固体废物处置利用率100%。

  工业生产中,很多半导体企业均会在生产工艺涉及到晶元研磨工艺,该工艺一般采用处理成本较高的高纯水作为冲洗水,而产生的硅晶粉末颗粒细小,使用传统工艺一般是采用简单的絮凝去除,去除效率较低,因此不可避免地产生含硅晶粉末废水,这些废水无法回收利用,仅能排放。随着国内环保要求的不断提高,如何减少废水排放,充分利用水资源,特别是成本较高的高纯水资源达到经济效益已成为环保行业亟待解决的技术难题。

  发明内容

  本发明的目的在于提供一种晶元研磨废水的回用处理工艺,其可对晶元研磨废水进行有效处理,处理后水质满足生产回用需求。

  为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种晶元研磨废水的回用处理工艺,包括如下步骤:

  将晶元研磨废水排入收集槽;

  收集槽内的液体经调节池进入pH调整池进行处理;

  pH调整池处理后的液体进入混合反应池进行处理;

  混合反应池处理后的液体进入絮凝反应池进行处理;

  絮凝反应池处理后的液体进入沉淀池进行处理;

  沉淀池处理后的液体经UF给水箱进入砂滤器进行处理;

  砂滤器处理后的液体进入UF装置进行处理;

  UF装置处理后的液体进入处理水箱待回用。

  优选的,pH调整池、混合反应池、絮凝反应池、沉淀池内的污泥排入污泥池;

  污泥池内的含水污泥送入板框压滤机进行压滤,压滤液进入调节池,压滤出的干污泥外运处理。

  优选的,UF装置通过压缩空气进行反冲洗。

  优选的,调节池配有应急池。

  优选的,pH调整池中投入了NaOH。

  优选的,混合反应池中投入了PAC。

  优选的,絮凝反应池中投入了PAM。

  本发明的优点和有益效果在于:提供一种晶元研磨废水的回用处理工艺,其可对晶元研磨废水进行有效处理,处理后水质满足生产回用需求,可实现零排放,全回收。

  本发明可提高晶元研磨中水的晶元截留效率,减少废水排放量,减少污染物进入后续水体,有利于改善后续水体的水质状况;处理后的中水可以回用至生产系统,充分利用水资源,降低生产成本,取得更高效益。

  本发明可采用絮凝剂使待处理废水的大部分颗粒物进行絮凝,形成较大絮体,然后通过沉淀手段去除;

  本发明可采用石英砂等初效过滤手段,将残余硅晶体截留70%以上;

  本发明可通过选择滤径过滤膜,对残留微小颗粒进行过滤截留。

  本发明中絮凝药剂的选用,可根据硅晶体本身性质配合选用絮凝剂,加速絮凝效果。

  本发明可采用多级截留处理技术,不同工序截留不同粒径的晶体粉末,避免各工序负荷过大导致的堵塞等问题。

  本发明可通过分析微粒粒径,选用低一等级的过滤膜孔径,即保证系统的处理能力,又避免了膜的污堵系数增大,保证系统稳定运行。

  本发明过滤膜可采用脉冲冲洗工艺,通过短时间、间歇性、大流量的脉冲冲洗工艺,保证了冲洗效果,避免了膜的污堵。

相关推荐