申请日2015.06.10
公开(公告)日2015.10.07
IPC分类号C02F9/14
摘要
本发明涉及一种AO新型印染废水的耦合法处理，属于印染废水处理技术领域。印染废水进入水解酸化池且在其中的平均停留(HRT)为10-18小时后，分两部分分别进入中沉池和曝气池;中沉池中反应所得兼氧污泥回流至水解酸化池中，中沉池出水直接进入与水解酸化池分配的污水一起在曝气池中反应为15-25小时后，送入沉淀池;沉淀池反应出水直接排出，反应所得的好氧污泥则分两部分分别回流至曝气池和水解酸化池，参与相应的反应。将本发明上述工艺应用于综合印染废水的处理，具有成本低、处理时间短、处理效果明显等优点，COD去除率可提高10%以上，出水含氮含磷均低于标准。
摘要附图
权利要求书
1.AO新型印染废水的耦合法处理，其特征在于：上述印染污水所采用的处理装置由水解酸化池、中沉池、曝气池和沉淀池构成，所述的水解酸化池廊道为折线式结构，其内安装搅拌器并沿其反应池对角线搅拌;所述的曝气池内安装若干个曝气头，且水解酸化池和曝气池均为推流式反应池;印染废水进入水解酸化池且在其中的平均停留为10-18小时后，分两部分分别进入中沉池和曝气池;中沉池中反应所得兼氧污泥回流至水解酸化池中，中沉池出水直接进入与水解酸化池分配的污水一起在曝气池中反应为15-25小时后，送入沉淀池;沉淀池反应出水直接排出，反应所得的好氧污泥则分两部分分别回流至曝气池和水解酸化池，参与相应的反应。
2.如权利要求1所述的AO新型印染废水的耦合法处理，其特征在于：所述的水解酸化池出水中，进入中沉池的污水量占总进水量的2/3，进入曝气池的污水量占总进水量的1/3。
3.如权利要求1所述的AO新型印染废水的耦合法处理，其特征在于：所述的兼氧污泥的回流比为60-80%。
4.如权利要求1所述的AO新型印染废水的耦合法处理，其特征在于：所述的好氧污泥总的回流比为60-80%，其中2/3进入水解酸化池，1/3进入曝气池。
说明书
AO新型印染废水的耦合法处理
技术领域
本发明涉及一种新型AO耦合工艺处理印染废水的方法，属于印染废水技术领域。
背景技术
染料废水中多含有氮磷元素，在废水处理中，A/O法得到广泛应用，如针对厌氧工艺，开发出多种厌氧反应器，如EGSB、ABR、UASB、IC等;针对水解酸化，衍生出多种水解酸化反应器类型;针对脱氮除磷，开发出具有脱氮除磷功能的处理工艺;然而随着印染工艺的成熟化，印染废水的成分越来越复杂，而常规的A/O法所采用的是一段厌氧一段富氧的方式，厌氧段用于脱氮除磷;好氧段用于除水中的有机物。这种传统的方式虽然达到了一定的脱氮除磷功能，但效果不显著，尤其是对于印染综合废水而言，其作用效果尤为不明显，传统的A/O法已经无法满足水处理的需求。
基于此，做出本申请案。
发明内容
为了克服现有A/O法所存在的除氮效率低、处理负荷大、COD含量高等缺陷，本发明提供一种可稳定高效脱氮除磷的新型AO耦合工艺处理印染废水的方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
新型AO耦合工艺处理印染废水的方法，上述印染污水所采用的处理装置由水解酸化池、中沉池、曝气池和沉淀池构成，所述的水解酸化池廊道为折线式结构，其内安装搅拌器并沿其反应池对角线搅拌;所述的曝气池内安装若干个曝气头，且水解酸化池和曝气池均为推流式反应池;印染废水进入水解酸化池且在其中的平均停留(HRT)为10-18小时后，分两部分分别进入中沉池和曝气池;中沉池中反应所得兼氧污泥回流至水解酸化池中，中沉池出水直接进入与水解酸化池分配的污水一起在曝气池中反应为15-25小时后，送入沉淀池;沉淀池反应出水直接排出，反应所得的好氧污泥则分两部分分别回流至曝气池和水解酸化池，参与相应的反应。
进一步的，作为优选：
所述的水解酸化池出水的分配比例为：中沉池占总进水量的2/3，曝气池占总进水量的1/3。
所述的兼氧污泥的回流比为60-80%。
所述的好氧污泥总的回流比为60-80%，其中2/3进入水解酸化池，1/3进入曝气池。
本发明针对印染综合废水，开发出上述新型AO耦合工艺，通过不同阶段出水的回流以及不同类型污泥的回流，在污水处理同时，将污水的品质进行多次的匀化，并利用兼氧污泥、好氧污泥自身的特性对污水的性质进行预改善，从水质、水平衡等多个角度对污水进行综合处理，既发挥了水解酸化工艺的作用，很好的达到废水处理效能，优于普通氧化沟低负荷处理工艺能达到的处理效能，不但节省大量的氧化沟基建费用，也大大缩短了总的废水处理时间，同时又具有脱氮除磷功能，上述工艺耦合兼氧(以及水解酸化菌)好氧，硝化脱氮除磷等微生物协同作用，因此处理效果明显，适合印染类废水处理。
与传统AO工艺比较，COD去除率可提升10%以上;生化出水氨氮在3mg/L以内，去除率大于95%;生化出水总氮稳定在9mg/L以内，去除率80%;生化出水总磷在0.5mg/L以内，去除率大于70%，优于氧化沟低负荷工艺的处理效果。