浙江杭州士兰集昕微电子有限公司硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

• 项目所在地：浙江
  项目性质：新建
  建设进展：环评
  工程投资：10239.29万元 
  行业分类：机电其他......

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