公布日：2023.03.07
申请日：2022.12.06
分类号：C02F9/00(2023.01)I;C02F1/28(2006.01)I;C02F1/44(2006.01)I;C02F1/469(2006.01)I;C02F1/66(2006.01)I;C02F101/14(2006.01)N;C02F103/34(2006.01)N
摘要
一种高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，该方法为先将高纯二氧化硅生产污水依次与碳酸钙、碳酸镁反应，然后进行沉降分离以得到一次净化水，再将一次净化水过滤后与活性氧化物反应，得到二次净化水，接着将二次净化水依次进行多级过滤、多级反渗透后再进行EDI处理，得到去离子水，最后将去离子水送入高纯二氧化硅生产供水系统供高纯二氧化硅生产使用。本申请能够对高纯二氧化硅生产污水进行处理后再利用，以制得去离子水供高纯二氧化硅生产使用，从而实现污水零排放，既节约了水资源，又有助于降低用水成本。
权利要求书
1.一种高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：该方法为先将高纯二氧化硅生产污水依次与碳酸钙、碳酸镁反应，然后进行沉降分离以得到一次净化水，再将一次净化水过滤后与活性氧化物反应，得到二次净化水，接着将二次净化水依次进行多级过滤、多级反渗透后再进行EDI处理，得到去离子水，最后将去离子水送入高纯二氧化硅生产供水系统供高纯二氧化硅生产使用。
2.根据权利要求1所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：其具体步骤为：（1）将排放的高纯二氧化硅生产污水排入放置有碳酸钙的水池，污水中的酸根离子与碳酸钙进行中和反应；（2）中和反应结束后的污水经沉降分离后排入放置有硅酸镁的水池，污水中的氟离子与硅酸镁进行反应，反应结束后再进行沉降分离处理，得到一次净化水；（3）利用滤带、滤芯依次对一次净化水进行过滤，再送入放置有活性氧化物的活性氧化罐进行活性氧化处理，得到二次净化水；（4）先利用滤带、滤芯、滤膜对二次净化水进行多级过滤，再利用一级反渗透膜、二级反渗透膜对二次净化水进行多级反渗透处理，最后送入EDI系统进行EDI处理，得到去离子水；（5）将去离子水送入高纯二氧化硅生产供水系统供高纯二氧化硅生产使用。
3.根据权利要求2所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：在步骤（3）中，使用的滤带、滤芯设置有两组，两组滤带、滤芯并联设置。
4.根据权利要求2所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：在步骤（3）中，在活性氧化罐的输出端设置有用于盛装二次净化水的缓冲罐。
5.根据权利要求2所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：在步骤（4）中，二级反渗透膜、EDI系统产生的废水回流至二次净化水处，作为二次净化水使用。
6.根据权利要求2所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：在步骤（4）中，再额外设置一组一级反渗透膜、二级反渗透膜和EDI系统，步骤（4）中的一级反渗透膜产生的废水作为该组的水源输入。
7.根据权利要求6所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其特征在于：额外设置的一级反渗透膜、二级反渗透膜和EDI系统产生的废水也作为该组的水源输入。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种能够对高纯二氧化硅生产污水进行处理后再利用，实现污水零排放，有助于降低用水成本的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法。
本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，该方法为先将高纯二氧化硅生产污水依次与碳酸钙、碳酸镁反应，然后进行沉降分离以得到一次净化水，再将一次净化水过滤后与活性氧化物反应，得到二次净化水，接着将二次净化水依次进行多级过滤、多级反渗透后再进行EDI处理，得到去离子水，最后将去离子水送入高纯二氧化硅生产供水系统供高纯二氧化硅生产使用。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，其具体步骤为：（1）将排放的高纯二氧化硅生产污水排入放置有碳酸钙的水池，污水中的酸根离子与碳酸钙进行中和反应；（2）中和反应结束后的污水经沉降分离后排入放置有硅酸镁的水池，污水中的氟离子与硅酸镁进行反应，反应结束后再进行沉降分离处理，得到一次净化水；（3）利用滤带、滤芯依次对一次净化水进行过滤，再送入放置有活性氧化物的活性氧化罐进行活性氧化处理，得到二次净化水；（4）先利用滤带、滤芯、滤膜对二次净化水进行多级过滤，再利用一级反渗透膜、二级反渗透膜对二次净化水进行多级反渗透处理，最后送入EDI系统进行EDI处理，得到去离子水；（5）将去离子水送入高纯二氧化硅生产供水系统供高纯二氧化硅生产使用。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，在步骤（3）中，使用的滤带、滤芯设置有两组，两组滤带、滤芯并联设置。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，在步骤（3）中，在活性氧化罐的输出端设置有用于盛装二次净化水的缓冲罐。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，在步骤（4）中，二级反渗透膜、EDI系统产生的废水回流至二次净化水处，作为二次净化水使用。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，在步骤（4）中，再额外设置一组一级反渗透膜、二级反渗透膜和EDI系统，步骤（4）中的一级反渗透膜产生的废水作为该组的水源输入。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的高纯二氧化硅生产污水零排放处理方法，额外设置的一级反渗透膜、二级反渗透膜和EDI系统产生的废水也作为该组的水源输入。
与现有技术相比，本发明能够对高纯二氧化硅生产污水进行处理后再利用，以制得去离子水供高纯二氧化硅生产使用，从而实现污水零排放，既节约了水资源，又有助于降低用水成本，具体为，先将高纯二氧化硅生产污水依次与碳酸钙、碳酸镁反应，以去除其中的酸根离子和氟离子，得到一次净化水，能够达到排放标准，再将一次净化水经活性氧化物进一步处理形成二次净化水后送去制备去离子水，实现了污水的再利用，从而变废为宝，实现污水零排放，二次净化水经多级过滤、多级反渗透、EDI处理后制得去离子水，电阻率达到18兆以上，能够很好的满足高纯二氧化硅的生产使用要求，从而既解决了高纯二氧化硅生产污水的处理问题，又解决了高纯二氧化硅生产的用水问题。
（发明人：陈怀斌）