公布日：2022.06.03
申请日：2022.03.11
分类号：C02F9/04(2006.01)I
摘要
本发明提供了一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8‑8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；将反应池的溶液进行搅拌；将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；将反应液进入过滤池进行过滤。通过本申请的方法相同量的三氯化铁与传统的氯化镁去除高盐印染废水中的二氧化硅基本一致，但是市场上三氯化铁单价远低于氯化镁的价格，且在实验的过程中使用氯化镁需要将PH调节得更高，即液碱的使用量较多，成本高，而本申请的方式相对氯化镁不需要将PH调节得较高，液碱的使用量较少，并且处理后的硬度更低，处理效果较好，可有效的降低企业处理的成本。
权利要求书
1.一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：包括有以下步骤：S1、在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8-8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；S2、将反应池的溶液进行搅拌；S3、将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；S4、将反应液进入过滤池进行过滤。
2.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：在步骤S1中，所述三氯化铁的浓度为33％,2000PPM，所述液碱的浓度为32％,1000PPM，所述聚丙的浓度为0.32‰,2000PPM。
3.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：所述步骤S2中，对高盐印染废水进行搅拌的搅拌时间为1分钟。
4.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：所述步骤S3中，反应液放入斜管池进行沉淀时间为10分钟。
5.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：在步骤S1中，所述的反应池中设置有搅拌装置，所述搅拌装置用于搅拌混合药剂以及废水。
6.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：将S3反应液放入斜管池以及将S4中反应液放入斜管池，均分别通过加压泵以及管道进行传输。
7.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述沉淀池为斜管沉淀池。
8.根据权利要求1所述的一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，其特征在于：所述步骤S4中，所述过滤池为砂滤池。
发明内容
为了克服现有技术的不足提供了一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，本发明的具体技术方案如下：
一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：
S1、在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8-8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；
S2、将反应池的溶液进行搅拌；
S3、将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；
S4、将反应液进入过滤池进行过滤。
优选的，在步骤S1中，所述三氯化铁的浓度为33％,2000PPM，所述液碱的浓度为32％,1000PPM，所述聚丙的浓度为0.32‰,2000PPM。
优选的，所述步骤S2中，对高盐印染废水进行搅拌的搅拌时间为1分钟。
优选的，所述步骤S3中，反应液放入斜管池进行沉淀时间为10分钟。
优选的，在步骤S1中，所述的反应池中设置有搅拌装置，所述搅拌装置用于搅拌混合药剂以及废水。
优选的，将S3反应液放入斜管池以及将S4中反应液放入斜管池，均分别通过加压泵以及管道进行传输。
优选的，所述步骤S3中，所述沉淀池为斜管沉淀池。
优选的，所述步骤S4中，所述过滤池为砂滤池。
本发明所取得的有益技术效果包括：
将反应池中的高盐高硅印染废水(氯化钠溶液，水质指标：TDS约20000-25000mg/L、SiO2约80mg/L、PH约8.3)的溶液加入反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8-8.5经过反应池进行反应；经过反应、搅拌后产生絮凝、将搅拌后的反应液放入斜管池进行沉淀、将反应液进行过滤后，反应池中的高盐高硅印染废水中的SiO2含量能控制在21.9-41.4mg/L；同时，硬度不会明显升高，水中铁离子等重金属含量不会明显升高；同时去除相同的高盐印染废水中的二氧化硅，本申请相同量的三氯化铁与传统的氯化镁去除高盐印染废水中的二氧化硅基本一致，但是市场上三氯化铁单价远低于氯化镁的价格，且在实验的过程中使用氯化镁需要将PH调节得更高，即液碱的使用量较多，成本高，而本申请的方式相对氯化镁不需要将PH调节得较高，液碱的使用量较少，并且处理后的硬度更低，处理效果较好，可有效的降低企业处理的成本,此方法是一种安全、稳定、高效、低成本的除硅方法。
（发明人：姚颖;梁跃施;张良军;区增辉;钱原铬;孔柱文;林云烨）