申请日2013.04.09
公开(公告)日2013.07.24
IPC分类号H01L31/18
摘要
本发明公开了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，包括：台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行预处理;预处理之后的锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;将脱水处理后的锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内依次进行干燥处理和臭氧氧化处理，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。
权利要求书
1.一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，其特征在于，包括：
对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理;
将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;
将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处 理和臭氧氧化处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行清洗处理具体包括：
使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲 洗时间为30-60分钟。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进行脱水处理具体包括：
将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时 间为1-3分钟，并重复多次。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在干燥处理之前进一步包括：
使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑 化铟红外探测器的外围。
5.根据权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述干燥处理的温 度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度，所述臭氧氧化时间为20-40分钟。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述干燥处理的温度为80-100 摄氏度。
7.根据权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化处理 的步骤具体包括：
打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯，使所述锑化铟红外探测器在 加热和臭氧条件下进行氧化。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化的温度为80-100 度。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化时间为30分 钟。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化处理的 步骤之后，进一步包括：
将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。
说明书
锑化铟红外探测器脱水处理方法
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种锑化铟红外探测器脱水处理方法。
背景技术
锑化铟是一种重要的中波红外探测器件材料，经过几十年的发展，芯片结 构已由单元、多元发展至一维线列和二维面阵焦平面阵列。目前，对中波高分 辨率锑化铟红外焦平面探测器的研究已转入应用阶段，各种规格的锑化铟红外 焦平面探测器已大量装备于各种系统中。
在基于锑化铟材料的红外探测器制备工艺中，钝化前的芯片处理是一个非 常重要的工艺步骤，直接对探测器芯片的性能产生影响。目前对锑化铟探测器 材料主要是直接采用臭氧氧化或直接PECVD钝化的工艺步骤，但是这样制备的 锑化铟红外探测器的一致性差。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种锑化铟红外探测器脱水处理方法， 用以解决现有技术中制备的锑化铟红外探测器的一致性差的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：
一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，包括：
对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理;
将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;
将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处 理和臭氧氧化处理。
优选地，进行清洗处理具体包括：
使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲 洗时间为30-60分钟。
优选地，进行脱水处理具体包括：
将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时 间为1-3分钟，并重复多次。
优选地，在干燥处理之前进一步包括：
使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑 化铟红外探测器的外围。
优选地，所述干燥处理的温度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度， 所述臭氧氧化时间为20-40分钟。
优选地，所述干燥处理的温度为80-100摄氏度。
优选地，所述臭氧氧化处理的步骤具体包括：
打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯，使所述锑化铟红外探测器在 加热和臭氧条件下进行氧化。
优选地，所述臭氧氧化的温度为80-100度。
优选地，所述臭氧氧化时间为30分钟。
优选地，所述臭氧氧化处理的步骤之后，进一步包括：
将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。
本发明有益效果如下：
本发明提供了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，通过对锑化铟红外探 测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂 质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动， 从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处 理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片 的二次污染。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明 书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可 通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获 得。